نوآوری «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه، ثبت شد.

به گزارش خبرگزاری موج از روابط عمومی دانشگاه سمنان، داوود معروفی، مسوول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه کریمی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره ۸۸۷۲۱ به ثبت رسید. دکتر علی اصغر اروجی در توضیح این نوآوری گفت: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شکل با فناوری سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی که دارد، مورد مناسبی برای ساخت ترانزیستور با فناوری بیان شده است. وی افزود: در این ساختار از ۲ راه کار همزمان باریک کردن قسمت بالایی کانال و گستردگی مدور سمت پایینی کانال استفاده شده و با این نوع اصلاح، اثر خودگرمایی، اثرات کانال کوتاه، اثر حامل‌های داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و به دنبال آن، ولتاژ شکست ساختار به طور همزمان، بهبود یافته است. دانشگاه سمنان حدود ۱۶ هزار دانشجو در مقاطع مختلف کاردانش، کارشناسی، کارشناسی ارشد و دکتری دارد و از نظر علمی در شاخص های مختلف، جزء ۱۲ دانشگاه برتر کشور محسوب می شود.